LM3150上电过冲烧毁

各位大神好，我在使用LM3150芯片时出现一个问题，使用的电路是通过TI设计软件生成的如上图，在输出2.5v 8A都是可以达到的，但是出现上电芯片烧坏的情况，使用的是24V稳压电源提供24V直流电，在测试输入端电压是通过示波器捕捉发现有高达43v的过冲电压，直接把Vcc引脚击穿了，下面的是捕捉的过冲电压。

我在将输入电容换成3个10uf瓷片电容并联还是有过冲电压，但在输入端加一个100uf电解电容后过冲消失，我想问的是为什么只用10uf瓷片电容不行必须要加电解电容，我加10uf电解电容过冲都会有极大的好转。是不能单独用瓷片电容作为输入电容吗？还是其他问题导致的，增大缓启动电容貌似效果都不明显。

daw y：

估计点解电容ESR大一些，相当于RC吸收，而陶瓷电容ESR很小，相当于单纯的C，反而容易引起震荡。

Marvellous Liu：

电容选择耐压值一样吗；另外走线存在L，所以组成LC振荡，但是电解电容ESR大一些，阻尼系数大，很快衰减了，或者说本身就升不高。

Johnsin Tao：

回复 Marvellous Liu:

HI选择粗一点的输入导线，并且在导线连接板子的地方增加一个100uF以上的电解电容。对于输入走线尽量宽一点，VCC电容尽量靠近对应脚，输入的电容靠近MOS输入端（也适当大一点）

jeff：

回复 Johnsin Tao:

你好，当时没加电解电容主要是考虑到体积问题，安装位置比较小所以想考虑直接用瓷片电容替代电解电容，但后面测试发现有很高的输入上冲，用瞬态抑制二极管能不能抑制呢，我考虑是用一个smbj30ca来抑制上电过冲，电源线是有点长大概有50cm

KW X：

瓷片电容是受电压变的，受压后；电容值会变小，而电解无此问题。
另外；介质损耗问题，电解会比较好消除高频过冲。

Marvellous Liu：

回复 KW X:

不是吧，电容充电过程就是电介质极化的过程，瓷片电容与电解电容的电介质类型不一致，但是都会有影响的；具体的可以看德拜方程，电解电容不关心这一点是因为电解电容本身容量很大。

KW X：

回复 Marvellous Liu:

哦。。。极化也是调制效应的一种吗？当极化筹振荡频率低于外加频率时；是啥效应？^_^

daw y：

回复 jeff:

加TVS应该是可以抑制过冲的。