TI中文支持网现在遇到个问题 OCP大了一点12A==》12.5A，根据SPEC量 上管DS导通时候的压差，为啥我加载和不加载压差都是800mV左右？
工作原理是上管DS导通时候的压差与Ilimit电阻上的压降比较吗？哪位来指点下，当然，改Ilimit电阻可以解这个问题，但为啥压差不变？
或者我量错了？还是别的什么原因。
KW X：
啥电路做啥事用到了OCP，用啥方法测量发现了这个差异？原理和PCB图哪呢？
user6184496：
回复 KW X:
user6184496：
回复 KW X:
客户要求的，就量MOS打开时 DS压差
Johnsin Tao：
回复 user6184496:
HI使用示波器测量的吗？ 应该不同才对。
user6184496：
回复 Johnsin Tao:
谢谢你的回答，是用示波器量的。Rlimit 电压为100mV, Vdson加载不加载大概都700多mV,这2个比较逻辑是什么？
