TI中文支持网UCC27611DRVT 能驱动Si管吗，还是只是适合驱动GaN管子
Johnsin Tao：
HI可以驱动的。
user151383853：
驱动什么管子,管子驱动电流和要求的开关频率.si 的什么管子型号,一般大功率的驱动能力, 驱动小管肯定是富余,不过有个电压范围的问题要注意.
KW X：
楼主提的Si管是啥意思？
仅从国语讲，一句话的制式至少应该是统一的。
其次，Si是表的拼音还是元素周期表中的硅？如果是硅，至少常用的硅器件有十几个种类。不知你问的那种？
顺便提下，需要驱动的硅常用大种类：MOSFETJFETSCR GTRGTOMCTSTH 。。。
每个大类下还有常用分枝，如MOSFET，有VMOSDMOSCOOLMOS TMOS 。。。
驱动电压等级有：15V驱动、5V驱动、3.3V驱动、1.8V驱动。。。
驱动方式有脉冲型、电压型、电流型等等多种不同要求。
KW X：
而GaN，问题更复杂点。用这种材料做的功率器件，有二极管和功率晶体管量大分支。
二极管主要用于发光，也就是LED。显然这虽然是二极管，任然是需要驱动的。
至于功率晶体管，也有三极管和场效应管之分。其中的场效应管，已经历三代演化。市场上常见有三大类产品。
即便是场效应的三者；驱动完全不兼容。
最近，又有不同于前三者的；功率管和驱动绑定集成的氮化镓场效应功率管产品。
KW X：
UCC27611是很通用的驱动，确实可以用于以上很多种器件。但是；由于各自驱动要求不同， 有的可以直接用，有的必须配适当外围。
还有；由于很多器件都有米勒效应，同种器件；所需配备外围也是大相径庭的。
所以，诚然；即便告诉你能用，也并不代表能直接用。任然需要精心设计。
user6243245：
感谢各位详细的回答，目前用UCC27611DRVT驱动的MOSFET是并联的两个BSC0500NSI，工作频率是1MHz
KW X：
回复 user6243245:
可以！
这粒MOSFET栅门槛电压1.2～2V，4.5V驱动时RDS=1.4mohm。该驱动器足以驱动。
