TI中文支持网我的系统输入为12V， 我首先使用UCD9248芯片和PTD08A020W模块产生3.3V电（系统有一些电路需要3.3V供电），然后使用PTH03010W模块产生1.5V电压给DDR3的VDD（VDDQ）。3.3V为PTH03010W的输入。DDR3使用戴维南上下拉端接避免了使用VTT。VREF由上下拉100欧姆1%精度电阻提供。我一共使用了8个DDR3芯片（不是条）。我看到TI有专门给DDR3供VDD、VTT、VREF的芯片。如果用在我的这个场合， 我能选到的型号的供电能力最大通常为 VDD 25A, VTT 3A。我担心VTT只有3A,不足以给8个DDR3的VTT供电。因此就使用戴维南上下拉端接取消VTT。但VDD还是要的。专用的DDR3能供VDD的电源芯片外围电路比较复杂，要有场效应管和电感，所以我就选了通用的开关电源模块PTH03010W。这样我对DDR3的供电采用了两级开关电源PTD08A020W和PTH03010W。这个设计是否合理？这个系统里FPGA读写DDR3。
Maverick_1984：
回复 KW X:
TI有专门给DDR3供电的芯片，输出DDR3 主电源（VDD, VDDQ)的是不是MOSFET调整的线性LDO?假如我采用这种DDR3专用供电芯片，我能不能悬空VTT？因为我的设计采用戴维南上下拉电阻端接，无需VTT。
假设我改变设计，使用了电阻上拉VTT的端接方式，会不会VTT需要不止3A的电流？考虑到我系统有8个独立的DDR3，不共享任何信号线。
Maverick_1984：
回复 Johnsin Tao:
TI专门的DDR的电源, 我看到的对于VDD的输出，外围需要加两个MOSFET和一个电感，看了这个电路，我判断至少对于VDD的输出，并不是MOSFET调整的线性LDO，因此对VDD不能产生快速的瞬态响应。也许KW X指的是对于VTT的输出是MOSFET调整的线性LDO，并不是指VDD
