input20v-32v,output19v;
input 23V以上负载正常,23V 以下随着负载电流增加,电压会降低;当input为22v-23v 的时候,最高负载4A左右电流;
请问是什么原因呢? 电路是参考TI工具的,layout参考datesheet。
有劳各位大神了,需求帮助!
user6068071:
有没有大神回复
Johnsin Tao:
Hi当输入电压较低时,你的占空比会比较高, 如果此时你频率也比较高时,高边MOS就难以保证320ns的关闭时间, 这个是要满足Chb充电的,具体看datasheet:www.ti.com.cn/…/LM25117第十八页。
Johnsin Tao:
Hi当输入电压较低时,你的占空比会比较高, 如果此时你频率也比较高时,高边MOS就难以保证320ns的关闭时间, 这个是要满足Chb充电的,具体看datasheet:www.ti.com.cn/…/LM25117第十八页。
daw y:
一个是占空比的问题,还有一个就是是不是电流限制了?看看电流取样电阻选择的是否合适。
user4206655:
降压IC输入电压与输出电压需要一定的压差,输入20V 输出需要19V建议改用升降压的方案可以改善你说的问题
Vental Mao:
你这个应该是受最小关断时间限制,达到了最大占空比, 所以在输入输出压差很小的时候会出现输出随输入降低
user5863743:
回复 Vental Mao:
您好,请问像这种情况,需要重新选择NMOS型号吗?具体怎么操作