TI中文支持网我用bq24600发热的厉害，其他都正常。
1：空载电流22mA,输入电压27V，也发热的。
2：输入电压27V，输出25.2V（6节锂电池），充电电流1A，此时VCC上的电流大概有45mA左右。芯片发热严重。
3：充电的时候上端的MOS管也有一定的发热现象。
4：驱动的波形都还算正常。
原理图如下：
初步分析结果：
目前使用的MOS管委IRF7469，部分参数如下：
我将自举二极管D16和IC的12脚REGN断开，用外部电源5V供电，发现有大概10~20mA的电流，感觉这个功率很大，内部LDO会发热的，
但不知道啥原因。
请大侠指点下。
Michael Yang：
楼主换一个对于驱动需求更小的MOSFET试试，选一个Ciss小一点的MOSFET。
Michael Yang：
回复 Michael Yang:
如TI EVM板上用的SiR426DP。以上谢谢！
wei zhang22：
回复 Michael Yang:
没有用SiR426这个芯片，当初没用这芯片是市场上不太好买。
我对比了它和IRF7469的参数，差别不是太大。现在还不知道是不是MOS选型的问题造成的发热严重这个问题
wei zhang22：
回复 Michael Yang:
这是SiR426的参数，有些参数也不是太明白
Michael Yang：
回复 wei zhang22:
两个MOSFET 的Ciss 相差1倍，如果不好买，楼主换个Ciss更小的MOSFET验证一下发热是否有改善。
wei zhang22：
回复 Michael Yang:
发热和MOS管的Ciss相关比较大是吧？
和Qg这个结电容量好像关系也很大的吧？
能推荐一个MOS管型号吗？
Elvis gui：
回复 Michael Yang:
我的也是一样，用BQ24620 IC发热很严重。我的是18V输入，14.5V/7A输出。 目前其他都调试OK，就是IC本身发热太严重，电池是48AH，一个循环充不满，IC就烧毁了。 MOS还没事。 目前选用的MOS有QM3018D TO252封装，TI的CSD18503Q5A，TI的CSD18504Q5A。可是还是很热。下图第一张是TI的CSD18504，第二张是QM3018D
wei zhang22：
回复 Elvis gui:
你的开关频率是多少啊？选择好些的管子试试，你的电流是很大的
