求助BQ25505的充电时序问题

下图是TI官方pdf资料里面给出的客户案例，BQ25505的 EN 引脚使能后的时序图。

由图可知，EN低有效后由于VBAT = 3.4V > VBAT_UV，VBAT_SEC和VSTOR是通过MOS管开启实现短接的，那么为何还出现VSTOR > VBAT的那一段？

另外，VIN 初始为1V，芯片使能后给VSTOR充电，应该一直维持在低于1V才对啊？

xuetao cui：

还有一个问题，当输出电压VSTOR超过过压保护设定值 VBAT_OV 时，储能电容是怎么从充电回路中断开的，PMOS不是有个反并联二极管吗

Hisen Zhang：

Hi Xuetao 

麻烦你看一下，规格书的7.4.3 Main Boost Charger Enable

芯片启动的时候本身会有个断环的过程因此VSTOR会比VBAT高一点。

Hisen Zhang：

回复 xuetao cui:

VSTOR的电压能量是从前级输入的，因此当VBAT达到VBAT_OV的时候芯片的BOOST停止工作将电压维持到VBAT的电压。