TI中文支持网当电路处于充电状态时，将电路板连接到system处（打开系统电源开关），充电指示灯开始闪烁，充电故障！保持系统开关打开，重新插拔adapter，充电正常。 在不打开开关 或不接电池情况下，无论如何开关或插拔输入适配器电源头，电池充电端12.6V电压正常。觉得是开机瞬间系统或电池充电端电流太大进而出现保护锁死。但这块板我已将ISET ACSET均已设置到4A，请问是否还有其他方面的原因在，比如布线排版？
急待求解 谢谢！
Anfeng Qu：
你的分析是非常合理的！系统接入时的瞬态电流太大导致这个问题的可能性很大！不过不是和ISET， ACSET相关，你重点调试下ACDRV脚控制的两个MOS的开通速度试试，调快和调慢都试试，问题的原因应该在这，你接入系统瞬间可能输入电压出现的欠压情况，当然用示波器测试下也可以帮助分析。
da liu1：
回复 Anfeng Qu:
10.2.2.5 Input ACFET and RBFET SelectionN-type MOSFETs are used as input ACFET(Q1) and RBFET(Q2) for better cost effective and small size solution,as shown in Figure 21. Normally, there is a total capacitance of 50 μH connected at PVCC node: 10-μF capacitorfor buck converter of bq2417x and 40-μF capacitor for system side. There is a surge current during Q1 turnonperiod when a valid adapter is inserted. Decreasing the turnon speed of Q1 can limit this surge current indesirable range by selecting a MOSFET with relative bigger CGD and/or CGS. If Q1 turns on too fast, we must addexternal CGD and/or CGS. For example, 4.7-nF CGD and 47-nF CGS are adopted on EVM while using NexFETCSD17313 as Q1.
谢谢 参照上段文字 打算将CGD CGS 由原来4700pf 和0.047uf 做改动，具体范围有合适的建议值吗？谢谢
