欢迎大家进来指导，分析现象（bq78350+bq76930）

 最近自己做了块bq78350+bq76930的板子，然后用ev2300接到上位机查看，但是出现下面的情况，不理解啊，上位机里data memory的数据都有，但是register界面有问题，而且执行写数据提示超时。求指点

hero chou：

回复 zhicheng sun:

你好，BQ78350只能读不能写的问题解决了吗？最近我也遇到这个问题，搞了好几天，没辙了~

tangjuan li：

回复 hero chou:

我也是同样的问题，有结果分享一些呀谢谢

xiong zhou3：

回复 hero chou:

我的板子也出现了同样的问题，BQ78350的Data Memory只能读数据，写数据就提示错误。我设计的是10串电池，但是默认的配置一直只能读到3个电池的电压，无法完成配置。原理图见附件，会不会是原理图有问题？哪位大神，指点一下，谢谢~

Star Xu：

回复 xiong zhou3:

只能读不能写确认一下是不是进入PF mode

看一下是不是有异常的旗标举起

xiong zhou3：

回复 Star Xu:

上图是寄存器读到的值，PF没有直位，是不是应该没有进入PFmode？

BQ78350局部的原理图如图所示：

外围电路这块有没有设计不合理的地方？

还有就是与所配套的BQ76930具体型号有没有关系，用的是BQ76930003，含CRC，regout输出3.3V，串联一个800Ω的电阻到BQ78350的VCC，测到的电压是2.7V。准备更换BQ7693000再试一下，刚申请样片，过两天换上去试一下。

Star Xu：

回复 xiong zhou3:

你现在的问题是不能写值，把sec0 和sec1改成1,0 FAS mode才能改值

SEC1,SEC0(Bit 9,8):
SECURITYmode0, 0 =Reserved
                          0, 1 =Unsealed
                          1, 0 =Full Access
                          1, 1 =Sealed

xiong zhou3：

回复 Star Xu:

我这边在SEC1,SEC0 = 1，0和0,1两种状态下写入还是不正常，提示的是，并且SEC1,SEC0 会自动变为1,1，此时Data memotry读到的数据全部是0，需要再次点击才能恢复。

Star Xu：

回复 xiong zhou3:

进入full access mode 将参数AFE CELL MAP 改成您设计的电池串数。

参考TRM 2.6.3 AFE Cell Map