TI中文支持网TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
再次表示感谢！
rookiecalf：
从你描述的这个地方看不出什么问题，这是正常的cmd修改。不知道你还有什么其他操作没有。
另外你只去掉三个数组，保留修改后的cmd看看，确认一下是那部分引起。
TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
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user3900194：
是不是因为你将RAM空间4/5/6合并到一起的缘故？，你觉得ram空间不狗的话，你可以把变量放到flash空间里
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
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离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
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Qingqing Lin：
回复 rookiecalf:
只去掉三个数组，保留修改后的cmd，运行是正常的，不知道大数组添加以后引起了哪些变化，使得那个AD的while语句执行了很长时间？
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离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
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Qingqing Lin：
回复 user3900194:
你好， 这样更改和我上面的改法好像一样。可以把.ebss段都放到Flash里吗？这样程序运行时间会不会受影响？
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用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
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Qingqing Lin：
回复 rookiecalf:
ADC初始化的使用有用到DELAY_US函数，程序部分倒是没有用到，请问下需要将这个函数用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs");copy到RAM里运行吗？
TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
再次表示感谢！
user3900194：
回复 Qingqing Lin:
我只用过pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs")，放到flash，试试看嘛，运行时间影响很小的，最终也是copy到RAM中运行。
TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
再次表示感谢！
rookiecalf：
回复 Qingqing Lin:
Qingqing Lin
你好， 这样更改和我上面的改法好像一样。可以把.ebss段都放到Flash里吗？这样程序运行时间会不会受影响？
TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
再次表示感谢！
user3900194：
回复 rookiecalf:
你把变量类型可以更改一下，我也是定义了数组，我定义的变量的类型为const，这个可以放在flash中，我现在这样应用是没有问题，你参考下。
TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
再次表示感谢！
Qingqing Lin：
回复 user3900194:
const类型好像是常量吧，如果在程序运行过程中需要更新的变量，能定义为const类型吗？
TMS320F28335；CCS 5.5
离线模式：用F28335.cmd
用#pragma CODE_SECTION(函数名,"ramfuncs"); 将所有函数都copy到RAM里运行。
程序采样PWM触发ADC采样，每50us一个PWM中断，同时AD采样一次。用GPIO高电平看进PWM中断到AD采样完成的时间，程序如下：
/*************************************************************/
GpioDataRegs.GPBSET.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置高
while (AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1== 0) {}
AdcRegs.ADCTRL2.bit.RST_SEQ1 = 1;
AdcRegs.ADCST.bit.INT_SEQ1_CLR = 1;
GpioDataRegs.GPBCLEAR.bit.GPIO58 = 1; //GPIO置低
/*************************************************************/
PWM是增减模式，在计时器为0时进中断，计数器到达峰值时启动ADC，正常情况下，上面程序的高电平时间非常短，观察到的时间约为380ns。
为了查看一些控制量，程序里添加了3个数组：
float see1[400], see2[800], see3[800];
添加上面3个数组之后，.ebss段的大小为0x2263，，而默认长度只有0x1000，因此需要改CMD文件
将
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML5 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML6 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML5 : > RAML5, PAGE = 1
DMARAML6 : > RAML6, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
更改为
RAML4 : origin = 0x00C000, length = 0x003000 /* on-chip RAM block L1 */
RAML7 : origin = 0x00F000, length = 0x001000 /* on-chip RAM block L1 */
.ebss : > RAML4 PAGE = 1
DMARAML4 : > RAML4, PAGE = 1
DMARAML7 : > RAML7, PAGE = 1
编译正确，烧写之后运行，查看GPIO高电平时间，发现时间很长，大概42us。
在修改cmd文件之后，把上面三个数组完全注释掉，重新烧写运行，查看GPIO高电平时间大概380ns。
这么来看，好像就是这3个数组的加入，使得AD采样时间发生异常。下面两张图就是观察到的GPIO高电平时间，上面的图是正常情况，下面的是异常情况。
另外，如果是在线模式，使用28335_RAM_lnk.cmd，则添加3个数组后程序运行也正常。
在这儿恳请各位专家和大神帮帮忙，看看是哪边出现的问题？感激不尽！谢谢了！这个问题困扰太久了。
再次表示感谢！
Qingqing Lin：
回复 rookiecalf:
我试了一下，如果只加see1数组，程序还是正常的，再加一个see2数组，就不正常了。
