TI中文支持网使用24650demo板电路（SLUU444A），MOS换成IPU09N03电感4.7uh采样电阻5mR。出现的问题是bq24650工作时会发热。流入VCC脚电流1.54ma，流入STAT1管脚1.7mA。现在怀疑BTST脚流入过大的电流。 手摸IC本身有明显温升。我用这个电路给电池以8A恒流方式给电池充电到14V（实际中只能最大输出7A，而且很快下降到6A），充电时间是20小时每次。大约3次左右，bq24650就会坏。原理图如下：
Trevor：
请问是给什么样的电池充电？输入电压，及设定的电池充电电压是多少？电感4.7uH是什么型号的，其饱和电流是多少？PH及REGN的波形正常？
qin liao：
回复 Trevor:
输入电压是20V，MPPSET设置在18.6V，输出充电压限压设置在14V，4.7uH电感饱和电流18A （线艺SER2013-472L），REGN是6V直流，VREF是3.3V直流。PH波形如下，这是使用SI7288这个MOS时的波形。
qin liao：
回复 Trevor:
如果使用的MOS是IPU09N03 波形变成这样，很奇怪为什么下管的脉冲变窄成这样
qin liao：
回复 qin liao:
整理下 过程是这样
今年3月用bq24650按照SLUU444A–August 2010–Revised October 2010
bq24650EVM Synchronous, Switch-Mode, Battery ChargeController for Solar Power 完全按照手册中原理图做，直流信号vref Vgren 波形 PH HIDRV LODRV 充电过程等都没有问题
有的问题是这个方案采用的SO8封装的MOS散热很难解决。我实际需要应用是光伏18.6V-110W电池板输入，给4串150AH锂电充电，最大输出电流8A。所以我把参考手册中SI7288这个MOS换成 IPU09N03，然后我原理图是P1，设置的输出电压是14V，MPPSET是18.6V，最大充电电流8A
qin liao：
回复 qin liao:
然后我实际测试测试波形附件P2，发现MOS进入不同步整流状态。按照pdf的说明，采样电阻的信号如果低于5mV，下管会提前关闭防止电池对MOS管反向灌电。但是图中电流大于1A，证明不是这个问题。我用这个板子 但是MOS管采用外焊接SI7288的方式，是可以进入同步整流的，那么是不是这2个MOS管的差异照成的。但是我对比这个2个MOS，发现除了输入电容Si7288比IPU09n03要大一倍外，其它如Qg tr tf 都是接近的，那么到底是什么原因造成这个情况？
qin liao：
回复 Trevor:
Trevor ,我把文档中15页看到关于同步与非同步的问题，但是它提到
充电器当srp电压低于5mV进入非同步模式。另外，充电器强迫进入非同步整流当电池电压低于2V或者srp电压低于1.25mV。我现在的现象不属于这种情况，我使用不同的MOS就会进入非同步模式，如果按照参考设计选的SI7288，那么就能进入同步模式。我对比选用的MOS IPU09N03和SI7288 ，我发现其Qg都是接近的，那引起这个现象的原因是什么？
xuezhaonan xue：
回复 qin liao:
你的这个问题解决了吗？？？我也在弄这个，遇到了许多问题，想要请教一下。
Yang Qin1：
你好，
在Si7288DP数据手册中，当Vgs=10V时，Qg典型值为10nC，在Vgs=4.5V时，Qg典型值为4.9nC；而IPD09N03LA数据手册中Qg=10nC的条件为Vgs=4.5V。按实际应用，驱动电压约为5V，IPD09N03LA的Qg要比Si7288DP的大一倍左右，则IPD09N03LA的总驱动损耗要比Si7288DP大一倍。
而Si7288DP的Rg典型值为2.7Ohm，IPD09N03LA为1Ohm，所以bq24650上由于驱动MOSFET的损耗在使用IPD09N03LA时比Si7288DP大一倍以上。这应该是发热的主要原因。
关于使用英飞凌的MOSFET进入非同步工作情况，从您给的波形看不像是由于电感电流减小到接近断续。是否有看过REGN和BTST两点的电压有没有异常？
Yang Qin1：
回复 qin liao:
楼主选择MOSFET时也可以考虑选用TI的30V的NexFET。
如CSD17307Q5A，在Vgs=4.5V时，Qg=4nC，而Rdson只有9.7m Ohm，比SI7288的1/2还低，而在与IPU09N03同样6平方厘米的铜皮散热条件下，热阻也基本一致。
xuezhaonan xue：
回复 Yang Qin1:
楼主的电路图是没有问题的吧！只要把MOSFET换成TI的那个就可以把！
