TI中文支持网如题，我的BQ25700其他功能都正常，也能正常为电池充电，但是芯片比较烫，用手基本摸不上去，请问这正常吗？
Johnsin Tao：
Hi
你可以借助TI的webench仿真，确认芯片的问题。（这个软件很强大，输入参数即可得到电路，以及电路的参数，包括芯片的温度之类）
芯片主要的功耗在于驱动部分（包括内部给驱动供电的LDO），所以你需要选择Qg尽量小的MOS。
其次就是芯片底部的PowerPad，必须充分与GND焊接，并扩展散热。这个相当于芯片的散热片，处理不好容易造成芯片散热不好。
Yi Yang15：
回复 Johnsin Tao:
Hi，请问底部焊盘如要如何设计？能否提供参考PCB
Yi Yang15：
回复 Johnsin Tao:
Hi,正常情况下，25700表面温度多少为正常？
Yi Yang15：
回复 Johnsin Tao:
我没有在这个软件里面找到25700
Johnsin Tao：
回复 Yi Yang15:
Hi
就在对应芯片网站上，我随便仿真了一下，40°C左右。
layout一般会参考datasheet或者EVM.
Yi Yang15：
回复 Johnsin Tao:
evm的layout能提供参考下吗？还是要买evm才能得到？
Yi Yang15：
回复 Johnsin Tao:
还请教个问题，25700在充电的同时给其他电路在供电，这种怎么仿真
Zhengxing Li：
你的MOSFET的Qg是否过大。芯片的损耗除了静态电流，主要贡献来源于Vin*Qg*f*4
Yi Yang15：
回复 Zhengxing Li:
MOSFET用的贵司的CSD17551Q3A和CSD25402Q3A
CSD17551Q3A的Qg=6.0nC
CSD25402Q3A的Qg=7.5nC
Vin*Qg*f*4里面的f是指开关频率吗？
Yi Yang15：
回复 Zhengxing Li:
我用Webench大致仿真了下，总的功率损耗达到2.66w，如果真的这么大损坏，是不是温度本来就不会低
