VBST和SW之间的0.1uF的电容,大小可以更改么,有什么后果。耐压值应该选多少。。
Johnsin Tao:
Hi
这个电容是给高边MOS驱动供电的升压chargepum电容,推荐0.1uF, 不建议过大或者过小容易引起驱动一场。(0.1uF附近应该没有问题)
耐压10V就足够。
Charlie.tsing:
回复 Johnsin Tao:
HI:
有没有更多的理论分析呢,我们的片子,经常坏芯片。纠结中,我们选的封装小了,温度特性,不能和参考物料同等。。
谢谢。
Johnsin Tao:
回复 Charlie.tsing:
Hi
芯片损坏的原因很多,例如温度过高的焊接,ESD,过压,过流等等,这个需要具体问题具体分析。
你需要具体描述你的芯片不良模式,例如是哪个脚烧掉,与那个脚短路之类,以及那个脚阻抗异常了,这些都有助于具体分析。