充电过程中会烧毁MOS管

两节充电电池串联，输入电压22V，输出电压8.4V，充电电流为250mA，发现很容易烧毁充电电路中的MOS管(不是必现，但是会经常出现)，MOS管的VDS，VGS的参数都满足要求，请问下是什么原因造成的

如图所示，用的是如韵电子的CN3762充电IC

answer：

请告知您的芯片型号，MOSFET的位置（应该不止一个），MOSFET的型号等，以便分析，另外，设计问题也有可能导致烧MOS

chen chen2：

回复 answer:

谢谢！

我选用的不是你们TI的充电IC，是其他厂家的IC，目前更换了各种型号的MOS管，都会出现被烧毁的现象。

Johnsin Tao：

回复 chen chen2:

Hi

     那你得找对应芯片厂商啊，或者你将电路传上来，让大家看看是否能帮到你？

chen chen2：

回复 Johnsin Tao:

如图所示，用的是如韵电子的CN3762充电芯片

Johnsin Tao：

回复 chen chen2:

Hi

      FDC654P是30V管，你的输入时24V，很可能是你输入连接较长导线，存在较大寄生电感，在启动瞬间时间输入会存在较大Spike,  这个你可以通过示波器做启动测试确认到。同时你输入只有0.1uF太小。

      如果是这样，建议你在输入增加一个220uF的电容（可依据测试减小一点）

    

chen chen2：

回复 Johnsin Tao:

谢谢！

mos管换成FDC5614P，VDS=60V，还是会烧，输入端为第9脚，有一个10uf的电容

user5079174：

回复 chen chen2:

栅极电阻用1K太大了，这样会导致mosfet开通和关断时间太慢，mosfet发热严重，建议换欧姆级别电阻或者不接

chen chen2：

回复 user5079174:

谢谢！

确实如此，之前将该电阻换成0欧，还是出现过一次烧mos管的问题，后来又换了几台，就全部ok了