TI中文支持网最近一个项目中用到了BQ24195这颗料，经过一番研究，自己对数据手册中的内部防倒灌MOS Q1有一些疑问，请Ti工作人员予以解答，谢谢！
1、在BQ24195数据手册的第11页 8.2 的方框图中明确画出了一个内部防倒灌的MOS（ RBFET Q1） ；但是在数据手册中完全没有提及内部这个Q1的具体控制逻辑；在后续的第34页中的典型应用图中在BQ24195 的外部单独用Q1 CSD2530Q2Q和Si2312DS组成了一个防倒灌的电路；自己在查看了很多帖子，有很多朋友再问，为何BQ24195内部都有防倒灌的MOS（ RBFET Q1）了，还要在外部增加这个防倒灌电路？工作人员的解答没有很好的解决我的疑问？能否请工作人员仔细回答一下！
2、根据问题一，根据个人理解数据手册中是BQ24195和BQ24195L共用的，是不是BQ24195内部并没有这个内部的RBFET，而对应的BQ24195L内部有这个防倒灌的MOS？
3、在论坛中也看到了许多的关于这个内部MOS Q1的疑问及解答；我看到一个工作人员这样回复，想询问下是不是这个意思？
在BQ24195这个系列中并没有这个内部防倒灌的MOS（ RBFET Q1），而是在BQ24295中才有，那么BQ24195的数据手册中为何要画着这个内部防倒灌的MOS（ RBFET Q1）呢？这是误导用户吗？
4、言归正传，最后一个问题，在BQ24195中到底是否存在这个防倒灌的MOS（ RBFET Q1），还是在BQ24195这颗料中不存在? 引脚VBUS和PMID之间除了电流检测之外，可以认为是直通的？
烦请工作人员解答疑问！
Johnsin Tao：
HI
我觉得内部MOS是在OTG模式下防止反灌，外部的防止反灌应该是在正常buck充电时候。
hugang Ding1：
回复 Johnsin Tao:
您好 Johnsin Tao 不过还是很奇怪，BOOST模式如果可以防止反灌，我个人看到过有技术回答说在BOOST模式下 VBUS引脚也是有电的； 您能仔细回答下我的4个疑问吗？或者邀请您的同事也可以，谢谢！
