TI中文支持网你好！ 我想咨询下关于BQ24170 11脚TTC的三种状态，我对照了英文翻译，但始终没能完全理解。
目前我使用三串12.6 2600mA 锂电池，0.5A充电电流 。有以下几点不明请帮解答：
1. TTC端按照damo板设置了100NF电容，不知是否合适？
2. 对于该TTC端接入电容，存在一个预充电过程，请问这部分是在什么情况下进行的？因为我看到的是始终0.5A的充电电流。
只有在接近充满状态（五个小时以后）电流趋于变小的过程。
3. 设置低电平与高电平分别是什么样的结果？希望能结合实际帮解释一下。
麻烦能有详细的易懂的回答 感谢！
da liu1：
回复 Wu JW:
当前设置了100nF, 按照5.6min/nF ，safty timer为560min，近10小时。
也就是说充电电流无论设置多少，在充电560min后，充电电路将自动切掉输出。
以上理解是否正确？
da liu1：
回复 da liu1:
2600mAh实际用0.5A充，在5小时可以充满，而以上设置的100NF电容是否可以适当改小，有没这个意义和必要？
请帮解答 谢谢！
da liu1：
回复 Wu JW:
多谢指点！另外还有个疑问：
我的设计是参考《BQ24170 DAMO》实例来做的，其中 Maximum input current 这项参数，max值可以达到8A，这个值是有效值还是峰值？另外这个8A的持续时间
是多少，有相关参数可提供吗？而实际我这边使用时，15V输入，3A都不到(有效值电流），输入部分的2个CSD17313Q2 MOS管就发烫厉害，（mos管底部有一定
面积的铺铜扇热，但受开发成本、空间限制，没有像damo板那样大面积铺铜） ，我遇到的这个管子发热严重的现象应正常吧，帮确认下？
另外调试了十几二十片样板，使用后发现输入级的Q2容易击穿，结果导致：输出给下一级的电压下降0.5V左右，如输入15V输出只有14.5V，请帮分析这个问题可能
会是哪部分引发，是过热？是上下电切换瞬间损坏？（Q2，Q3的开启电容分别为 C9 4700PF, C6 0.047uf,同damo板。）
Wu JW：
回复 da liu1:
CSD17313的Rdson太大，建议用Rdson更小的MOS，如CSD17318Q2.
请提供一下，上电波形，冲击电压是否会过高？
C7，C8的值是多少？是否有增加过这些电容？如果有增加过，需要适当的增加C6。防止MOS管在上电过程中，超SOA损坏。
da liu1：
回复 Wu JW:
Q2 G脚启动波形参考附件，看起来并没有毛刺和尖峰。
C7，C8以及C1为Vsys上所接电容，为负载电容，我这边根据开关打开与关闭分为两种情况：
1.在不开启开关下，Vsys所接电容总计为固定500uf左右。
2.在打开开关下，上电瞬间，Vsys所接电容会在以上500uf的基础上额外增加整个系统所接电容以及电路所消耗的电流，这部分总计估算不会小于1000uf。
故尤其在打开系统开关下启动，过Q2，Q3的瞬间电流是比较大的。
按照你所述，输入级Q2、Q3 MOS管改用CSD17318会好，有一个参数望帮推荐，即C9，C6的取值改为多少合适？danmo版分别为472与473
（另外damo版的R7使用的是499K，因物料通用我这边用了470K，这部分应该问题不大）
最后有个疑问，考虑到输入级MOS管Q2 Q3以及BQ24170的安全工作电压在30V，从中来看，请再帮回复2个问题：
1. damo版的DC—in MAX电压值为多少？是否为30V
2.电路有反向DC输入保护功能，这个反向输入值多少V范围内是为安全区？
da liu1：
回复 da liu1:
附件Q2 G脚上电波形
Wu JW：
回复 da liu1:
如果SYS上有1000uF的电容，MOS烧坏是可能的，启动时的电流应该已经超出MOS管的SOA范围，请减少SYS电容，建议用几十uF的瓷片电容就可以了。
如果一定要增加SYS电容，需要延长Q2的开启时间。
da liu1：
回复 Wu JW:
这在上一贴已经回复了，减少SYS电容会安全，但设计需要考虑到实际应用，像这个电路一般会应用在几瓦–几十瓦的负载，
负载上的一些IC、功放等，这些器件电源端往往会加一些去耦电容、偏置电容，这些电容势必会达到几百uf–上千uf,
如果这个电路承受不了这样子的上电冲击，应用受到很大局限性。
另外上一贴的这个问题期待你们的解析：
——-最后有个疑问，考虑到输入级MOS管Q2 Q3以及BQ24170的安全工作电压在30V，从中来看，请再帮回复2个问题：
1. damo版的DC—in MAX电压值为多少？是否为30V
2.电路有反向DC输入保护功能，这个反向输入值多少V范围内是为安全区？
