TI中文支持网如题，我发送new_checksum到0x60（已经按照新的0x40~0x5F之间的值进行计算，应该是正确的校验和），写进去了，bq27510也又给我应答，但是再去读0x60寄存器发现校验和没有更新，还是以前的校验验和值，导致我修改的设计容量没有更新，请问大神们知道这应该怎么解决吗？要修改的值我已经写入DATA FLASH里了，我读出来也是我修改的值，但是校验和验证没有通过导致用0x2E读的设计容量数据一直没有更新。跪求大佬们解答。
1. 发送design capacity 寄存器的subcalss 到0x3E/0x3F（根据datasheet的Data Flash Summary的表格，design capacity是subclass,48。需要写入16进制）
W：AA 61 00
W : AA 3E 30 00
2. 发送需要修改的寄存器offset到0x40~0x5F之间,design capacity的offset是10，给0x40+10, 即0x4A,假设为2000mAh
W： AA 4A 07 D0
3.发送checksum到0x60，（需要按照新的0x40~0x5F之间的值进行计算
W：AA 60 new_checksum
我流程基本是这样的
上图是我把new_checksum写入0x60中，但是每一次写SCL（蓝线）都会出现这个波形，会不会是这个原因导致数据没有写入到0x60中呢？
user5180992：
不是上图时序的原因，我把波形弄好了还是没写进去，或者我算的校验和有问题，校验和是将0x40-0x5f寄存器里的值全读出来相加，然后取出低8位，用0xFF减去取出的低8位，得到的数就是校验和。我这个求法没错吧？
Rosa Chen：
回复 user5180992:
你好，
我昨天也遇见了类似的问题，我觉得可能的问题有：
1.每次写入dataflash最多只能写32 bytes. checksum是以上您说的算法，但是是发送的32 bytes的值的和，取低8位，用ff减
2.我每次发送的是checksum和数据长度一起到60. 不知道您发没发数据长度呢？
下面是我去英文论坛找到的相似的帖子，我通过这个文件写成功了，不知道对您有没有用，希望有帮助e2e.ti.com/…/2336247
