TI中文支持网我用的28335的外部XINTF扩展外部并口，使用zone7，在使用发现几个问题，而技术文档中好像并没有详细提到，请你帮我解释一下。 我使用的外部XINTF的16位扩展总线，在我将寄存器的配制位设置为16位总线时即： 1.XintfRegs.XTIMING7.bit.XSIZE = 3;我每进行一次写访问，外部的写使能输出信号XWE0会输出两次低电平，对应两次低电平期间XA0脚电平依次先为低，再为高，而片选信号XZCS7只输出一次低电平，这样认应该认为是对FLASH进行两次写操作； 现在我的问题是： 在16位总线宽度模式下我在实际中出现的情况是否是正常，如果是正常我要对16位总线宽度的FLASH进行写操作应该怎样进行，（因为我在实际得出的是每进行一次写操作会同时对奇偶地址都进行一次写操作） 谢谢！
mangui zhang：
只有片选信号为低时 进行的操作才是有效的操作
你看看XINTF给的读写时序图 不合适 就需要做译码处理了
我用的28335的外部XINTF扩展外部并口，使用zone7，在使用发现几个问题，而技术文档中好像并没有详细提到，请你帮我解释一下。 我使用的外部XINTF的16位扩展总线，在我将寄存器的配制位设置为16位总线时即： 1.XintfRegs.XTIMING7.bit.XSIZE = 3;我每进行一次写访问，外部的写使能输出信号XWE0会输出两次低电平，对应两次低电平期间XA0脚电平依次先为低，再为高，而片选信号XZCS7只输出一次低电平，这样认应该认为是对FLASH进行两次写操作； 现在我的问题是： 在16位总线宽度模式下我在实际中出现的情况是否是正常，如果是正常我要对16位总线宽度的FLASH进行写操作应该怎样进行，（因为我在实际得出的是每进行一次写操作会同时对奇偶地址都进行一次写操作） 谢谢！
Martin Yu：
在一次写过程中XWE0只有一次拉为低电平，只有在进入Active阶段，XWE0才变为低电平，并且在Trail阶段被拉为高电平。因此建议检查下时序，详细见<SPRU949D>的第36页。
