TI中文支持网TI专家：
我们的电路设计如下，充放电回路是分开设计的。
芯片PACK管脚分别通过R30、R32电阻连接到充电CH+和放电P+端子上，现在发现如果R30（连接到CH+)电阻去掉，欠压CUV关断时，关断很快，波形如下：
其中（红色为MOS管GS端电压波形、黄色DS端电压波形、蓝色电流波形），关断时间很短，为200us，
但是如果R30和R32同为10K的话，测试波形如下：
关断时间变成了4.7ms，GS波形在2V的时候有一个很长的平台。
帮忙看看CUV保护和PACK管脚电压有什么样的关系？ 谢谢！
Star Xu：
CVU侦测最低一串电压达到门槛值就会进入CUV，pack是电池组+mos的电压。
pack的电路设计您参考数据手册
9.2.2.3.3 PACK and FET Control
Jerry Zhu3：
回复 Star Xu:
请问为什么我PACK管脚两种不同的连接方式，会导致CUV关断时间上差异？ 谢谢！
