TI中文支持网使用BQ24707制作的充电板，在上电后，充电参数配置正确，但是过几秒后DHIDRV侧的MOS烧毁。 下面是充电的参数，以及测试的电压：
设计参数为：8.6-24V输入；4A充电；8.6V的充电电压。
主要的电压测量如下：
输入电压 ：11.86V
ILIM电压 : 0.8V
ACDET电压：3.19V
REGN 电压： 6V
BTST电压： 10.75V
请问可能是什么原因。附件中是原理图，与BQ24707的示例基本相同。 ChargeByIC.pdf
hk sang：
BTST的电压是否过高？
Star Xu：
回复 hk sang:
正在查看电路，稍后回复
hk sang：
回复 hk sang:
拆去两个MOS后，BTST的电压为5.75V。
