1、我们的方案是使用两片76930一共管理20节电池。低端76930管理低10节,高端76930管理上面10节。充放电MOS由低端76930控制。
2、系统启动时均完成了76930初始化,设置了OV_Trip和ADC_En。
3、在充电过程中高端76930管理的电芯电压超过OV门限时,76930的SysStat寄存器中的OV并没有置位。
4、如果是低端76930管理的电芯电压超过OV门限时,76930的SysStat寄存器的OV有置位。即使手工清除,该76930还是会再次置位。
问题:
76930在置SysStat的OV标记时是否要确认充电MOS已经被其关闭了才会置位?
在我们应用的场景,高端76930不参与控制充电MOS,因此即使出现单体电芯电压过高也不会在其SysStat的OV位置位?
Star Xu:
当检测到电压超过编程的OCD或SCD阈值时,计数器开始计数到已编程的延迟设置。 如果计数器达到其目标值,则SYS_STAT寄存器
更新以指示故障情况
David Rich:
回复 Star Xu:
不好意思,我的问题是指电芯过压和欠压保护场景。请帮忙再确认下。
以充电过程为例,我关闭软件OVP之后测试,对应76930的电芯本应该在3650mV的时候就进入过压保护,但是直到电芯电压到3800mV都没有设置过压保护标记。