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- 这个问题是量产遇到的，目前不好复现，正常情况下不会出现问题，所以可能是哪些参数设计的不太合理，请大家帮看下
- 因为获取的是终端客户的数据，所以现在复现到的只是类似客户遇到的现象。
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放电口断开，AFE保护芯片进入深休，CHG_EN和DSG_EN输出低电平；放电口连接，AFE保护芯片从深休唤醒，CHG_EN和DSG_EN输出高电平。
- 测试方法：在插拔机上按照设定好的频率进行插拔。轻负载一直打开着。
- 抓取到的BQ76200上VDDCP,PACK，CHG,DSG引脚（示波器探头的地都是接的电池包的B-）的电压波形,还有B+/B-,P+/P-之间的电压波形。从波形上看时间间隔都是20ms
- 我已经查看了VDDCP上2.2uf电容的温度、电压特性曲线，再结合测试情况，基本可以排除温电容容值变化的影响；放电MOS的GS脚之间的16V稳压管也不存在漏电情况，稳压管去掉后MOS打嗝现象仍然存在，而且万用变串在稳压管回路上也测不到电流。
这个内部原理框图（特别是红圈部分），文档里没看太明白它的工作机制，能否帮忙解释下，通过哪些可能的回流路径才能造成我们抓到的这个现象，又有什么好的解决方法？.jpg-1230x0.jpg)
异常时候各点波形（都是探头负极接B-测试的）：
- 76200 PACK引脚上波形
- B+/B-电压
- CHG脚电压（CHG_EN此时正常输出11V）
- DSG脚电压（CHG_EN此时正常输出11V）
- VDDCP脚电压
- P+/P-电压
Star Xu：
正在查看
Star Xu：
回复 Star Xu:
建议您看启用FET时VDDCP电压是否降至UVLO阈值以下。 这可能会导致它们迅速被禁用，从而产生脉冲序列。
请参考数据手册图5http://www.ti.com/lit/an/slua794/slua794.pdf
如果您的FET电容负载与VDDCP上的电容相比过高，则会发生这种情况。这个很难再现，可能是因为您接近可接受的容性负载的边缘，因此您可以尝试在VDDCP上使用更大的电容。
另一种可能是在初始放电开启时负载过大，您可以在www.ti.com/…/slva729a.pd中看到有关此问题的讨论，以及图37和38中的一些相关图。
rambor wang：
回复 BMS:
我这个图上，如果充电器接入，从ZD5和R65会灌电流到DSG脚，因为R65是0R，灌电流可能会很大，会损坏芯片吗，损坏的概率大不大
BMS：
增大泵电容
