TI中文支持网对比两块功能相近的器件：AMC7812B和AMC7836，这两个器件的Datasheet中关于DAC的最大容性负载的指标有着很大的区别；AMC7812B的最大容性负载>10nF，AMC7836的最大容性负载<10nF；请问两者为什么在这项指标会有这么大的区别？
关于最大容性负载这项指标的指导意义，我个人理解的在设计方面的考虑是对于DAC后接的对地电容的值的选择。所以，我希望能够对于AMC7836后接不同的电容做一个仿真，但是在TINA仿真工具中没有找到AMC7836，在AMC7836介绍页只有IBIS模型，请问如何作这样一个仿真呢？
user151383853：
这个荣性负载应该与内部模拟输出阻抗和带宽有关吧. 如果后端的负载大的话, 建议增加一级驱动. 比如跟随器
Amy Luo：
您好，
您指的是下面红线框里的参数吗，我理解的是这描述的是一个意思：DAC稳定输出时所能带的最大容性负载。这个容性负载不是需要客户外接的，是需要客户保证DAC输出走线上的寄生电容要保证在10nF以下，即容性负载或寄生电容越小越好。可看AMC7836数据手册图119和图120负载电容对DAC输出的影响。
AMC7836：
AMC7812B：
user6222525：
回复 Amy Luo:
您好，
谢谢你的解答！
所以说，请问这样理解对吗：如果应用AMC7836，DAC后不需要再并联对地电容，只需要控制寄生电容<10nF就行；如果应用AMC7812b则需要单独外加对地电容以满足>10nF？
另外，请问AMC7836和AMC7812b的应用场景有很大不同吗？为什么这项指标会有这么大的区别呢？
最后，请问AMC7836数据手册的图118和图119的曲线是实测曲线还是仿真曲线呀？我想对我的电路进行仿真，但是没找到AMC7836的SPICE模型，请问有什么推荐的方法吗？
user6222525：
回复 Amy Luo:
您好，
我明白你的意思了，你的回答已解决我前面的疑问，谢谢！
但是，AMC7812b的数据手册中确实这项指标写的min值是10nF，这样写对于我们来说会理解为需要保证最小10nF，即应大于10nF；请问AMC7812b数据手册中这项指标的列些方式是不是可以调整一下，防止其他用户产生像我一样的疑问~ ^_^
Amy Luo：
回复 user6222525:
抱歉，我们已试图重新定义以使其更清楚，但仍有一些混乱。
