TI中文支持网目前我们在使用LDC1612，使用的图纸是TI公司参考板。 我们将测试对象和LDC1612线圈距离固定，放入高低温箱中做循环测试。在常温下我们测的一个输出值稳定值，之后系统经过80度高温几个小时之后，再降低温度到常温下，在常温下稳定足够时间，我们发现之后的稳定输出值在高温烘烤之前有100多的漂移变化。我们用内部晶体和外部晶体都做过上述实验，均发现有较大偏移（距离9mm情况，读数漂移100多）。请问这种情况，会是什么原因，是LDC1612自身导致还是其他原因？关键的330pF电容我们使用了NP0的高稳定电容。我们希望系统在-40度到80度循环重复中，在相同的测试对象，测试距离，相同的温度下，测试读数都保持一致，这个目标是否能够达到呢？
Annie Liu：
请您提供以下信息，以便于更好地分析您的问题：
您使用默认的LDC1612EVM，还是只是使用了EVM中的线圈并将其连接到另一块板上？如果您使用的是另一块板，是否方便提供原理图的LDC部分，以及如何将传感器连接到板上吗？
您是用输出代码测量漂移吗？ 那么偏移100意味着100个输出代码？
您在使用内部振荡器还是外部振荡器时是否测量出任何差异？请注意，由于热膨胀，传感器的电感会随温度的变化而略有变化，因此不可能在整个温度范围内保持完全相同的输出代码。传感器电容或参考频率的任何变化都会使该变化更大。
user5224494：
回复 Annie Liu:
1. 在使用了LDC1612EVM， 我们看到的类似测试结果。即在温度返回到原温度的时候发现有漂移，raw data千位数读数变化。这点非常奇怪，我们正在进一步做测试来验证确实是否如此。 之前我们的测试是在我们自己的板子，传感器线圈和电路都是按照EVM一样的。 我们会反馈之后最终确认的测试结果。 2. 100的漂移是指 DATA_MSB_CH1 和DATA_LSB_CH1读值， 有10000以上的变化 。 因为我们读数除了100之后。所以原始读数有10000以上的漂移。
data_buff[i] = LDC1612_ReadInt(DATA_MSB_CH1);
data_buff[i] = (data_buff[i] << 16)&0x0fff0000;
data_buff[i] |= LDC1612_ReadInt(DATA_LSB_CH1);
3. 我们知道在相同测试距离的时候，由于不同温度读数会有变化。但是我们碰到的问题是，在某个温度和某个距离下的读数，在经过一个高温之后恢复到原始温度之后，发现读数有漂移10000多。 就是说，我们在27度，距离7mm的时候测得一个值。然后温箱升温到80度，停留在80度一个小时，然后降温到27度，这个时候我们的读数在与最初的27度时候的读数有比较大的漂移。这个漂移甚至大于7mm到8mm之间距离变化引起的读数变化。所以这个漂移太大了导致无法实际应用。 我们测试方法是基于传统的电涡流传感器用法，就是线圈平面平行于被测面，距离的改变会有读数的改变。
user5224494：
回复 Annie Liu:
线圈使用的EVM一样的板上线圈。
Annie Liu：
回复 user5224494:
为了更好分析您的问题，我有几个问题：
当您将电路板返回27度时，在读取LDC输出数据之前，该电路板在此温度下保持多长时间？如果您将板长时间保持在此温度下，输出数据是否会返回到初始值？
在温度测试后重启设备电源时，该值是多少？
您是否正在完全更改驱动器电流设置？查看INxA / INxB引脚的示波器屏幕截图以确保传感器振荡幅度在建议范围内也将很有帮助。
